品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：434pF@50V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：220mΩ@2A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
连续漏极电流：2A
阈值电压：2V@250µA
输入电容：434pF@50V
导通电阻：220mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10H
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
类型：N沟道
功率：2.4W
连续漏极电流：2A
阈值电压：2V@250µA
输入电容：434pF@50V
导通电阻：220mΩ@2A，10V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS012N10MDTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：4V@78µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：9.2A€45A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：5752}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS012N10MDTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：4V@78µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：9.2A€45A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS012N10MDTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：4V@78µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：9.2A€45A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS012N10MDTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：4V@78µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：9.2A€45A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA110DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：5.4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA110DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：5.4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1590，"24+"：633870}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF6665TRPBF
工作温度：-40℃~150℃
功率：2.2W€42W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：530pF@25V
连续漏极电流：4.2A
类型：N-Channel
导通电阻：62mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD478
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.1W€45W
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：540pF@50V
连续漏极电流：2.5A€11A
类型：N沟道
导通电阻：140mΩ@4.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA110DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@50V
连续漏极电流：5.4A€12A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7322ADN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：26W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：360pF@50V
连续漏极电流：15.1A
类型：N沟道
导通电阻：57mΩ@5.5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS012N10MDTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.7W€62W
阈值电压：4V@78µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：965pF@50V
连续漏极电流：9.2A€45A
类型：N沟道
导通电阻：14.4mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
