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    谷峰 Mosfet场效应管 G3035 起订60个装
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035 起订60个装

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:60
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N03D3
    谷峰 Mosfet场效应管 G30N03D3

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G30N03D3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:24W

    阈值电压:1.4V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:825pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:40pF@15V

    导通电阻:5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:31
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:600
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:900
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:300
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035
    谷峰 Mosfet场效应管 G3035

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3035

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.4W

    阈值电压:2V@250μA

    栅极电荷:13nC@10V

    输入电容:650pF@15V

    连续漏极电流:4.1A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:55mΩ@10V,1A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:75
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA7672 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA7672

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:760pF@15V

    连续漏极电流:9A

    类型:N沟道

    导通电阻:21mΩ@9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1212
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFHS9301TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFHS9301TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.1W

    阈值电压:2.4V@25µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:580pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:P-Channel

    导通电阻:37mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC045N03L5SATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 ISC045N03L5SATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ISC045N03L5SATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:46
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC855N
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC855N

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC855N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:655pF@15V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:27mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:20
    加购:20
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:4
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:24
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC0906NSATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC0906NSATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€30W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@15V

    连续漏极电流:18A€63A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5000
    加购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6350-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6350-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6350-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@10V

    连续漏极电流:6A

    类型:P沟道

    导通电阻:43mΩ@3A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:5556
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:15000
    加购:3000
    AOS Mosfet场效应管 AO4496
    AOS Mosfet场效应管 AO4496

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4496

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1500
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMG6602SVT-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMG6602SVT-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:840mW

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:400pF@15V

    连续漏极电流:3.4A€2.8A

    类型:N+P-Channel

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:6000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS3455T1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS3455T1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:500mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:480pF@5V

    连续漏极电流:2.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2338DS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2338DS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W€2.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:424pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:28mΩ@5.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:50
    加购:5
    AOS Mosfet场效应管 AO4496
    AOS Mosfet场效应管 AO4496

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4496

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:715pF@15V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:19.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
    起购:25
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3033LDM-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3033LDM-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:755pF@10V

    连续漏极电流:6.9A

    类型:N-Channel

    导通电阻:33mΩ@6.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月16日前
    - +
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