品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS6H854NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@40V
连续漏极电流：9.5A€44A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H852NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€54W
阈值电压：4V@45µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：760pF@40V
连续漏极电流：10A€40A
类型：N沟道
导通电阻：14.2mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
