品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N03D3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W
阈值电压：1.4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：825pF@15V
连续漏极电流：30A
类型：1个N沟道
反向传输电容：40pF@15V
导通电阻：5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G2K3N10G
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：436nF@50V
连续漏极电流：2.5A
类型：1个N沟道
反向传输电容：9nF@50V
导通电阻：180mΩ@10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R600D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：63W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：509pF@100V
连续漏极电流：7A
类型：1个N沟道
反向传输电容：1.5pF@100V
导通电阻：530mΩ@10V，3.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：22+
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJGTL
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：1个N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：2SK3984-ZK-E1-AY
功率：20W€1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：750pF@10V
连续漏极电流：18A
类型：1个N沟道
导通电阻：85mΩ@9A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIA108DJ-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.5W€19W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.6A€12A
类型：1个N沟道
导通电阻：38mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIS108DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：24W€3.2W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：545pF@40V
连续漏极电流：6.7A€16A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@4A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA1808GR-9JG-E1-A
功率：2W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
输入电容：660pF@10V
连续漏极电流：9.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：17mΩ@5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8884
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：635pF@15V
连续漏极电流：8.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：23mΩ@10V，8.5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
