品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3N62K3
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3N62K3
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5207ANDTL
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1Ω@3.5A，10V
漏源电压：525V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STF3N62K3
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TK7E80W，S1X
工作温度：150℃
功率：110W
阈值电压：4V@280µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：700pF@300V
连续漏极电流：6.5A
类型：N沟道
导通电阻：950mΩ@3.3A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STU3N62K3
工作温度：150℃
功率：45W
阈值电压：4.5V@50µA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：管件
输入电容：385pF@25V
连续漏极电流：2.7A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@1.4A，10V
漏源电压：620V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：R5007ANX
工作温度：150℃
功率：40W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：散装
输入电容：500pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：1.05Ω@3.5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6350-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
ECCN：EAR99
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：600pF@10V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R8002ANJFRGTL
工作温度：150℃
功率：62W
阈值电压：5V@1mA
栅极电荷：13nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：4.3Ω@1A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
