品牌：捷捷 微电子 JIEJIE MICROEL ECTRONICS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：JMTK3004A
工作温度：-55℃~+175℃
功率：70W
阈值电压：1.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：2.68nF@15V
连续漏极电流：100A
类型：1个N沟道
反向传输电容：330pF@15V
导通电阻：2.9mΩ@10V，30A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€77.8W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G40P03K
工作温度：-55℃~+150℃
功率：138W
阈值电压：2.5V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：40A
类型：1个P沟道
导通电阻：7.5mΩ
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJMF280N65E1_T0_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：35.7W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.04nF@400V
连续漏极电流：13.8A
类型：1个N沟道
导通电阻：280mΩ@4.4A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L220SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR3806TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT452AP
工作温度：-65℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.8V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：690pF@15V
连续漏极电流：5A
类型：1个P沟道
导通电阻：65mΩ@10V，5A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280F
工作温度：-55℃~+150℃
功率：32W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MOT
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MOT65R280D
工作温度：-55℃~+150℃
功率：104W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：1.25nF@50V
连续漏极电流：15A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.1pF@50V
导通电阻：230mΩ@10V，7.5A
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS8880
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.235nF@15V
连续漏极电流：11.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：10mΩ@10V，11.6A
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L220SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7315DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.8W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@75V
连续漏极电流：8.9A
类型：P沟道
导通电阻：315mΩ@2.4A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
功率：19.8W
输入电容：1780pF@20V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF10N40D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：526pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC350N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：54740，"23+"：44940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ180P03NS3EGATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€40W
阈值电压：3.1V@48µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2220pF@15V
连续漏极电流：9A€39.5A
类型：P沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
连续漏极电流：10.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
