品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：PHB27NQ10T，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1240pF@25V
连续漏极电流：28A
类型：N沟道
导通电阻：50mΩ@14A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€77.8W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
工作温度：-55℃~150℃
功率：19.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1780pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L220SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：AUIRFR3806TRL
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@50V
连续漏极电流：43A
类型：N沟道
导通电阻：15.8mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB100N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1980pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@50A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L220SNFRATL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@10V
连续漏极电流：22A
类型：N沟道
导通电阻：26mΩ@22A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G30N04D3
包装方式：卷带（TR）
工作温度：-55℃~150℃
漏源电压：40V
阈值电压：2.5V@250µA
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
功率：19.8W
输入电容：1780pF@20V
栅极电荷：30nC@10V
连续漏极电流：30A
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP11NM60
工作温度：-65℃~150℃
功率：160W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@25V
连续漏极电流：11A
类型：N沟道
导通电阻：450mΩ@5.5A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI5418DU-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.1W€31W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@7.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHF10N40D-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：33W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：526pF@100V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@5A，10V
漏源电压：400V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPA80R360P7XKSA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：30W
阈值电压：3.5V@280µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：930pF@500V
连续漏极电流：13A
类型：N沟道
导通电阻：360mΩ@5.6A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC350N20NSFDATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@90µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2410pF@100V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：35mΩ@35A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS010N10MCLTAG
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.3W€52W
阈值电压：3V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2150pF@50V
连续漏极电流：10.7A€50A
类型：N沟道
导通电阻：10.6mΩ@15A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7454DP-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.9W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF6N80C
工作温度：-55℃~150℃
功率：51W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1310pF@25V
连续漏极电流：5.5A
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@2.75A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFH14N85X
工作温度：-55℃~150℃
功率：460W
阈值电压：5.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1043pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：550mΩ@500mA，10V
漏源电压：850V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FCP7N60
工作温度：-55℃~150℃
功率：83W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：920pF@25V
连续漏极电流：7A
类型：N沟道
导通电阻：600mΩ@3.5A，10V
漏源电压：600V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXFA36N30P3
工作温度：-55℃~150℃
功率：347W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
输入电容：2040pF@25V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@18A，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSZ017NE2LS5IATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.1W€50W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@12V
连续漏极电流：27A€40A
类型：N沟道
导通电阻：1.7mΩ@20A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IAUC70N08S5N074ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.8V@36µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2080pF@40V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@35A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.88W€60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1015pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：46mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIHP8N50D-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：156W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：管件
输入电容：527pF@100V
连续漏极电流：8.7A
类型：N沟道
导通电阻：850mΩ@4A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
