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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:315mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI5418DU-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI5418DU-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€31W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@15V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:14.5mΩ@7.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHF10N40D-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHF10N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:33W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7454DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7454DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:34mΩ@7.8A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP8N50D-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP8N50D-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP8N50D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:527pF@100V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7818DN-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7818DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.2A

    类型:N沟道

    导通电阻:135mΩ@3.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR606BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR606BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€62.5W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1470pF@50V

    连续漏极电流:10.9A€38.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:17.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS472DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS472DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.5W€28W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@15V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:9
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3469DV-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3469DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.14W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:30mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2500
    加购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP10N40D-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP10N40D-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP10N40D-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ974EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ974EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@25V

    连续漏极电流:30A

    导通电阻:25.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740BPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF740BPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF740BPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N-Channel

    导通电阻:550mΩ

    漏源电压:4V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR462DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR462DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€41.7W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:30A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4162DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4162DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1155pF@15V

    连续漏极电流:19.3A

    类型:N-Channel

    导通电阻:8.2mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP10N40D-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP10N40D-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP10N40D-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:147W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:526pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:600mΩ@5A,10V

    漏源电压:400V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
    - +
    起购:150
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7315DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7315DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.8W€52W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:880pF@75V

    连续漏极电流:8.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:315mΩ@2.4A,10V

    漏源电压:150V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
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    起购:750
    加购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840BPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF840BPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840BPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:527pF@100V

    连续漏极电流:8.7A

    类型:N沟道

    导通电阻:850mΩ@4A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月15日前
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    起购:100
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