品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~+150℃
功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
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功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
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输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
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功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
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规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
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功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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库存：有货
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
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功率：57W€4.8W
阈值电压：2.2V@250μA
栅极电荷：65nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2.95nF@15V
连续漏极电流：47.1A€162A
类型：1个N沟道
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
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ECCN：EAR99
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栅极电荷：65nC@10V
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
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漏源电压：30V
类型：1个N沟道
输入电容：2.95nF@15V
工作温度：-55℃~+150℃
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功率：57W€4.8W
连续漏极电流：47.1A€162A
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销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
栅极电荷：65nC@10V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS52DN-T1-GE3
栅极电荷：65nC@10V
导通电阻：1.2mΩ@20A，10V
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
类型：1个N沟道
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