栅极电荷: 65nC@10V
    类型: P沟道
    当前匹配商品:90+
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:750
    加购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:6000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1250
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI8483DB-T2-E1 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI8483DB-T2-E1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.77W€13W

    阈值电压:800mV@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1840pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:26mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订25个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订25个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7469ADP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7469ADP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€73.5W

    阈值电压:2.6V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@40V

    连续漏极电流:7.4A€46A

    类型:P沟道

    导通电阻:19.3mΩ@10A,10V

    漏源电压:80V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC6675BZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC6675BZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€36W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2865pF@15V

    连续漏极电流:9.5A€20A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.4mΩ@9.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月26日前
    - +
    起购:5000
    正在加载中,请稍后~~
    <上一页12下一页>2页  到第确定
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧