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    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIRA64DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIRA64DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3420pF@15V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.1mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR466DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR466DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€54W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:3.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ886EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ886EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2922pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@15.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订11个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3 起订11个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7938DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7938DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:46W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2300pF@20V

    连续漏极电流:60A

    类型:N-Channel

    导通电阻:5.8mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS52DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS52DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:57W€4.8W

    阈值电压:2.2V@250μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2.95nF@15V

    连续漏极电流:47.1A€162A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:1.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4166DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4166DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.5W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2730pF@15V

    连续漏极电流:30.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.9mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:750
    加购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7121DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7121DN-T1-GE3

    工作温度:-50℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4835DDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4835DDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€5.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1960pF@15V

    连续漏极电流:13A

    类型:P沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR876BDP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR876BDP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W€71.4W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3040pF@50V

    连续漏极电流:13.6A€51.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:10.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月13日前
    - +
    起购:10
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