品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：217616}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LFV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.2W€30W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：9.5A€35A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS4H05NTWG
工作温度：150℃
功率：2.66W€46.3W
阈值电压：2.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1205pF@12V
连续漏极电流：22.4A€94A
类型：N沟道
导通电阻：3.3mΩ@30A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMT6015LPS-13
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.16W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1103pF@30V
连续漏极电流：10.6A€31A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD20N03L27T4G
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.75W€74W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：18.9nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：27mΩ@10A，5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
