品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM4N90CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：38.7W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：955pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@2A，10V
漏源电压：900V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL90N6F7
工作温度：175℃
功率：4.8W€94W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：5.4mΩ@10.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N沟道
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N-Channel
导通电阻：200mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF520NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.7A
类型：N-Channel
导通电阻：200mΩ@5.7A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：358，"22+"：12876，"23+"：6227，"24+"：14425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N-Channel
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024TRPBF-BE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFL4310TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：1W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2.2A
类型：N-Channel
导通电阻：200mΩ@1.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFIZ24GPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：37W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR024PBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR020TRPBF
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€42W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：14A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@8.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：358，"22+"：12876，"23+"：6227，"24+"：14425}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N-Channel
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFD024PBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：散装
输入电容：640pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@1.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFR120NTRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N-Channel
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFU120NPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：9.4A
类型：N-Channel
导通电阻：210mΩ@5.6A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
