品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RCD100N20TL
工作温度：150℃
功率：850mW€20W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：08+
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQPF7P20
工作温度：-55℃~150℃
功率：45W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.2A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.6A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-E3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：1.2A
类型：P-Channel
导通电阻：1.05Ω
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3T100CNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：85W
阈值电压：5.25V@1mA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1400pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：N沟道
导通电阻：182mΩ@5A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7119DN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.7W€52W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：666pF@50V
连续漏极电流：3.8A
类型：P沟道
导通电阻：1.05Ω@1A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
