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    栅极电荷: 25nC@10V
    工作温度: -55℃~+175℃
    当前匹配商品:4
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    MINOS Mosfet场效应管 MDT15P04D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT15P04D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT15P04D

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:50W

    阈值电压:1.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:930pF@20V

    连续漏极电流:15A

    类型:1个P沟道

    反向传输电容:35pF@20V

    导通电阻:29mΩ@10V,7.5A

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月7日前
    - +
    起购:52
    MINOS Mosfet场效应管 IRF840
    MINOS Mosfet场效应管 IRF840

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF840

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:60W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.57nF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:15pF@25V

    导通电阻:730mΩ@10V,6.5A

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订数100个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ7414CENW-T1_GE3 起订数100个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+175℃

    功率:62W

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:25nC@10V

    输入电容:1.59nF@30V

    连续漏极电流:18A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:23mΩ@8.7A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20P04D
    MINOS Mosfet场效应管 MDT20P04D

    品牌:MINOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MDT20P04D

    连续漏极电流:20A

    阈值电压:1.5V@250μA

    漏源电压:40V

    功率:50W

    栅极电荷:25nC@10V

    导通电阻:29mΩ@10V,10A

    工作温度:-55℃~+175℃

    反向传输电容:35pF@20V

    输入电容:930pF@20V

    类型:1个P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月8日前
    - +
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