品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.2W
阈值电压：3V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.49nF@50V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
反向传输电容：7.5pF@50V
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDT86102LZ
连续漏极电流：6.6A
功率：2.2W
包装方式：卷带（TR）
类型：1个N沟道
导通电阻：22mΩ@10V，6.6A
反向传输电容：7.5pF@50V
栅极电荷：25nC@10V
阈值电压：3V@250μA
工作温度：-55℃~+150℃
输入电容：1.49nF@50V
ECCN：EAR99
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：3000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS004N04CLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€55W
阈值电压：2V@50µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD19N10TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：780pF@25V
连续漏极电流：15.6A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@7.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLWFTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQP4N80
工作温度：-55℃~150℃
功率：130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：管件
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"06+"：5000，"08+"：15230，"10+"：47314}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：182068，"16+"：10540，"18+"：4500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4939NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：8.4mΩ@7.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"03+"：37500，"04+"：2399，"08+"：4610，"MI+"：2500}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS3P03R2
工作温度：-55℃~150℃
功率：730mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@24V
连续漏极电流：2.34A
类型：P沟道
导通电阻：85mΩ@3.05A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDS2582
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1290pF@25V
连续漏极电流：4.1A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@4.1A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB4N80TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.13W€130W
阈值电压：5V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：880pF@25V
连续漏极电流：3.9A
类型：N沟道
导通电阻：3.6Ω@1.95A，10V
漏源电压：800V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：284431，"11+"：2622，"12+"：12500，"16+"：144}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMS4801NR2G
工作温度：-55℃~150℃
功率：800mW
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2201pF@25V
连续漏极电流：7.5A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@12A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NWFT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD30N06TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€44W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：945pF@25V
连续漏极电流：22.7A
类型：N沟道
导通电阻：45mΩ@11.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD7P20TM
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€55W
阈值电压：5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：770pF@25V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：690mΩ@2.85A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NT3G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD2582
工作温度：-55℃~175℃
功率：95W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1295pF@25V
连续漏极电流：3.7A€21A
类型：N沟道
导通电阻：66mΩ@7A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTTFS5116PLTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€40W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@30V
连续漏极电流：5.7A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS6H836NT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.7W€89W
阈值电压：4V@95µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1640pF@40V
连续漏极电流：15A€74A
类型：N沟道
导通电阻：6.7mΩ@15A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS5116PLTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€21W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：25nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1258pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：52mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
