销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):STWA63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
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包装方式:卷带(TR)
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类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
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包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
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ECCN:EAR99
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类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
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包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
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库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
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类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
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连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SI7234DP-T1-GE3
工作温度:-55℃~150℃
功率:46W
阈值电压:1.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@6V
连续漏极电流:60A
类型:N-Channel
导通电阻:4mΩ
漏源电压:12V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):600psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STW63N65DM2
工作温度:-55℃~150℃
功率:446W
阈值电压:5V@250µA
栅极电荷:120nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5500pF@100V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@30A,10V
漏源电压:650V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货