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    连续漏极电流
    栅极电荷: 1.4nC@10V
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    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS123
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:32pF@50V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7pF@50V

    导通电阻:5Ω@10V,0.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月8日前
    - +
    起购:206
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS123
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:32pF@50V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7pF@50V

    导通电阻:5Ω@10V,0.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月8日前
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    起购:170
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS123
    宏迦橙 Mosfet场效应管 BSS123

    品牌:宏迦橙

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSS123

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:32pF@50V

    连续漏极电流:200mA

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:7pF@50V

    导通电阻:5Ω@10V,0.2A

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月8日前
    - +
    起购:259
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数10个
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数10个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月22日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1926DL-T1-BE3 起订数100个
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    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:300mW€510mW

    阈值电压:2.5V@250μA

    栅极电荷:1.4nC@10V

    输入电容:18.5pF@30V

    连续漏极电流:370mA€340mA

    类型:2个N沟道

    导通电阻:1.4Ω@340mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    6月22日前
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