栅极电荷: 5.6nC@4.5V
    行业应用: 工业
    当前匹配商品:90+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LWQ-7 起订12个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LWQ-7 起订12个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:12
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6337-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:1122
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:39
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3348-TL-E
    onsemi Mosfet场效应管 CPH3348-TL-E

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"08+":227394,"17+":18000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH3348-TL-E

    工作温度:150℃

    功率:1W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:1781
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:19
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:5
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL100HS121

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:11.5W

    阈值电压:2.3V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:3
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7 起订37个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1H
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1H

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":151765}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1H

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:4007
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:200
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LW-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LW-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:1500
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 CPH6337-TL-W 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"16+":9000,"17+":15000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):CPH6337-TL-W

    工作温度:150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:1.4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:405pF@6V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:70mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:5000
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:8000
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL100HS121

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:11.5W

    阈值电压:2.3V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:26
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD25201W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25201W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25201W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL100HS121

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:11.5W

    阈值电压:2.3V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL100HS121 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL100HS121

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:11.5W

    阈值电压:2.3V@10µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:440pF@50V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@6.7A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTZS3151PT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTZS3151PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:170mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:458pF@16V

    连续漏极电流:860mA

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@950mA,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:10
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD25201W15
    TI Mosfet场效应管 CSD25201W15

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD25201W15

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.5W

    阈值电压:1.1V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:510pF@10V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:40mΩ@2A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LWQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN3060LWQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN3060LWQ-7

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:500mW

    阈值电压:1.8V@250μA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    输入电容:395pF@15V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:60mΩ@3.1A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:17
    加购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:250
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3
    TI Mosfet场效应管 CSD16409Q3

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD16409Q3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.6W

    阈值电压:2.3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:800pF@12.5V

    连续漏极电流:15A€60A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月4日前
    - +
    起购:5000
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