品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9000，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6337-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：227394，"17+"：18000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH3348-TL-E
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：151765}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1H
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"16+"：9000，"17+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6337-TL-W
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：{"10+"：1086}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"14+"：9650，"15+"：10000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-H
工作温度：150℃
功率：1W
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：20000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：SCH1331-TL-W
工作温度：150℃
功率：1W
阈值电压：1.3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3A
类型：P沟道
导通电阻：84mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：21000，"14+"：17950，"16+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：CPH6337-TL-E
工作温度：150℃
功率：1.6W
阈值电压：1.4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：405pF@6V
连续漏极电流：3.5A
类型：P沟道
导通电阻：70mΩ@1.5A，4.5V
漏源电压：12V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTZS3151PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：170mW
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：458pF@16V
连续漏极电流：860mA
类型：P沟道
导通电阻：150mΩ@950mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD25201W15
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：1.1V@250µA
栅极电荷：5.6nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：510pF@10V
连续漏极电流：4A
类型：P沟道
导通电阻：40mΩ@2A，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
