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    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FCP099N65S3 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FCP099N65S3 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FCP099N65S3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:227W

    阈值电压:4.5V@3mA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2480pF@400V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:99mΩ@15A,10V

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月23日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月7日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3601pF@15V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月9日前
    - +
    起购:3
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJD25N10A_L2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJD25N10A_L2_00001

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€60W

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    栅极电荷:61nC@10V

    连续漏极电流:4.4A€25A

    导通电阻:50mΩ@15A,10V

    输入电容:3601pF@15V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月8日前
    - +
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8321L
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDMC8321L

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:22A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8020
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8020

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8020

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@15V

    连续漏极电流:26A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N04NSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N04NSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N04NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:4V@49µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@20V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A 起订3个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N04NSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N04NSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N04NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:4V@49µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@20V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDB44N25TM 起订800个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDB44N25TM 起订800个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDB44N25TM

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:307W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@22A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:800
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N04NSGATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC030N04NSGATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC030N04NSGATMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€83W

    阈值电压:4V@49µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900pF@20V

    连续漏极电流:23A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321L
    onsemi Mosfet场效应管 FDMC8321L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMC8321L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€40W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3900pF@20V

    连续漏极电流:22A€49A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@22A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@20V

    连续漏极电流:31.7A€109A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:5
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:3
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5AT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5AT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5AT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:250
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8020
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS8020

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS8020

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€65W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3800pF@15V

    连续漏极电流:26A€42A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5mΩ@26A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@20V

    连续漏极电流:31.7A€109A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:500
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP
    MCC Mosfet场效应管 MCU20P10-TP

    品牌:MCC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):MCU20P10-TP

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:70W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@16A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A
    TI Mosfet场效应管 CSD18513Q5A

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18513Q5A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:96W

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4280pF@20V

    连续漏极电流:124A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@19A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SISS10ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SISS10ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:4.8W€56.8W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3030pF@20V

    连续漏极电流:31.7A€109A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.65mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF44N25TRDTU
    onsemi Mosfet场效应管 FDPF44N25TRDTU

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":930}

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDPF44N25TRDTU

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:38W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@25V

    连续漏极电流:44A

    类型:N沟道

    导通电阻:69mΩ@22A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月23日前
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    起购:500
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