品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：60W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：490pF@25V
连续漏极电流：9.2A
类型：1个N沟道
导通电阻：270mΩ@5V，5.5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
销售单位：个
工作温度：-55℃~+175℃
功率：65W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.5nF@25V
连续漏极电流：34A
类型：1个N沟道
导通电阻：21.5mΩ@10V，10A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3H200SNTL1
工作温度：-55℃~+150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：950pF@10V
连续漏极电流：20A
类型：1个N沟道
导通电阻：28mΩ@20A，10V
漏源电压：45V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQD13N10LTM
工作温度：-55℃~+150℃
功率：2.5W€40W
阈值电压：2V@250μA
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：520pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：1个N沟道
导通电阻：180mΩ@10V，5A
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12nC@5V
输入电容：1.2nF@10V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：RENESAS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"12+"：5000，"13+"：15000，"15+"：5000}
规格型号(MPN)：UPA2701GR-E1-AT
导通电阻：7.5mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@1mA
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
栅极电荷：12nC@5V
ECCN：EAR99
输入电容：1.2nF@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
