栅极电荷: 50nC@10V
    阈值电压: 4V@250µA
    当前匹配商品:100+
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    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHD12N50E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHD12N50E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:114W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:886pF@100V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:380mΩ

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM 起订800个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:800
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FQB22P10TM

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQB22P10TM

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.75W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@25V

    连续漏极电流:22A

    类型:P沟道

    导通电阻:125mΩ@11A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUP70090E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUP70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA10P50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA10P50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA10P50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2840pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:12+

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP10P50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2840pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:7
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP10P50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2840pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:8
    加购:8
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:800
    加购:800
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM50N

    工作温度:150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1735pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STB28NM50N
    ST Mosfet场效应管 STB28NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STB28NM50N

    工作温度:150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1735pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:1600
    加购:800
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUM70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUM70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:1000
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM50N

    工作温度:150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1735pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:30
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA10P50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTA10P50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTA10P50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:Tube

    输入电容:2840pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP10P50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2840pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD70090E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD70090E-GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1950pF@50V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:8.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS86152

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS86152

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.7W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3370pF@50V

    连续漏极电流:14A€45A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@14A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P
    IXYS Mosfet场效应管 IXTP10P50P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXTP10P50P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2840pF@25V

    连续漏极电流:10A

    类型:P沟道

    导通电阻:1Ω@5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:50
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTB25P06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB25P06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:120W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1680pF@25V

    连续漏极电流:27.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:82mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4434DY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4434DY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.56W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:2.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:155mΩ@3A,10V

    漏源电压:250V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM50N

    工作温度:150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1735pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N 起订250个装
    ST Mosfet场效应管 STP28NM50N 起订250个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP28NM50N

    工作温度:150℃

    功率:150W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1735pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:158mΩ@10.5A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:250
    加购:50
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