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    栅极电荷
    漏源电压
    工作温度
    行业应用
    连续漏极电流
    栅极电荷: 50nC@10V
    漏源电压: 600V
    当前匹配商品:30+
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    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L 起订2个装
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L 起订2个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF12N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月7日前
    - +
    起购:2
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ28N60P3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ28N60P3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ28N60P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:695W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3560pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1851pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:120
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ28N60P3
    IXYS Mosfet场效应管 IXFQ28N60P3

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFQ28N60P3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:695W

    阈值电压:5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3560pF@25V

    连续漏极电流:28A

    类型:N沟道

    导通电阻:260mΩ@14A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:30
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF12N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF12N60L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF12N60L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:550mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:50
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOWF12T60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2028pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:50
    ROHM Mosfet场效应管 R6035VNXC7G
    ROHM Mosfet场效应管 R6035VNXC7G

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6035VNXC7G

    功率:81W

    阈值电压:6.5V@1.1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    输入电容:2.4nF@100V

    连续漏极电流:17A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:114mΩ@8A,15V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1851pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月22日前
    - +
    起购:100
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月22日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB100N60E-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB100N60E-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB100N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:208W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1851pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P 起订1个装
    IXYS Mosfet场效应管 IXFH18N60P 起订1个装

    品牌:IXYS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IXFH18N60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:360W

    阈值电压:5.5V@2.5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2500pF@25V

    连续漏极电流:18A

    类型:N沟道

    导通电阻:400mΩ@500mA,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX
    ROHM Mosfet场效应管 R6015ANX

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):R6015ANX

    工作温度:150℃

    功率:50W

    阈值电压:4.5V@1mA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:散装

    输入电容:1700pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月7日前
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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHJ10N60E-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHJ10N60E-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:89W

    阈值电压:4.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:剪切带(CT)

    输入电容:784pF@100V

    连续漏极电流:10A

    类型:N沟道

    导通电阻:360mΩ@5A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P
    AOS Mosfet场效应管 AOWF12T60P

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOWF12T60P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:28W

    阈值电压:5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2028pF@100V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:520mΩ@6A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA100N60E-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA100N60E-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:35W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:50nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1851pF@100V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@13A,10V

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

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