品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4155DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：10.2A€13.6A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4155DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：10.2A€13.6A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQB22P10TM
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.75W€125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1500pF@25V
连续漏极电流：22A
类型：P沟道
导通电阻：125mΩ@11A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ481EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：80mΩ@10A，10V
漏源电压：80V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：IXYS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
生产批次：12+
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4435DDY-T1-E3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€5W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：24mΩ@9.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：10000，"9999"：1890}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141-F085
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI4155DY-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€4.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：10.2A€13.6A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTA10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：Tube
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7619DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：24A
类型：P沟道
导通电阻：21mΩ@10.5A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS411ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39.5W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3191pF@25V
连续漏极电流：16A
类型：P沟道
导通电阻：27.3mΩ@8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP10P50P
工作温度：-55℃~150℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2840pF@25V
连续漏极电流：10A
类型：P沟道
导通电阻：1Ω@5A，10V
漏源电压：500V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI7121ADN-T1-GE3
工作温度：-50℃~150℃
功率：3.5W€27.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1870pF@15V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：15mΩ@7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4141
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.4W€69W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
输入电容：2775pF@20V
连续漏极电流：10.8A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12.3mΩ@12.7A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SI3417DV-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€4.2W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1350pF@15V
连续漏极电流：8A
类型：P沟道
导通电阻：25.2mΩ@7.3A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB25P06T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：120W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：50nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：27.5A
类型：P沟道
导通电阻：82mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
