栅极电荷: 190nC@10V
    包装方式: 卷带(TR)
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    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY 起订1个装
    RENESAS Mosfet场效应管 NP83P06PDG-E1-AY 起订1个装

    品牌:RENESAS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NP83P06PDG-E1-AY

    工作温度:175℃

    功率:1.8W€150W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10100pF@10V

    连续漏极电流:83A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.8mΩ@41.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月1日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14950pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.9V@150µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6560pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:2500
    加购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6560pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:4000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.9V@150µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6560pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6560pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":308,"21+":2953}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14950pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P10_10M1LGE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P10_10M1LGE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P10_10M1LGE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S4LH1ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S4LH1ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:2.2V@110µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14950pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:750
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S2LH5ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N06S2LH5ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":1451,"16+":8750,"18+":955}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N06S2LH5ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5000pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:55V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFH7084TRPBF 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFH7084TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:156W

    阈值电压:3.9V@150µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6560pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月1日前
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