品牌: VISHAY
    栅极电荷: 190nC@10V
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP064PBF 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP064PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7400pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@78A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

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    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP064PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP064PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP064PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7400pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@78A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP064PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP064PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP064PBF

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    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:7400pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@78A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

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    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

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    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

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    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

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    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG50PBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG50PBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPG50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2Ω@3.6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:30
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:300
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG50PBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG50PBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPG50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P10_10M1LGE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM120P10_10M1LGE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQM120P10_10M1LGE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:9000pF@25V

    连续漏极电流:120A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.1mΩ@30A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:750
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI4477DY-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI4477DY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3W€6.6W

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4600pF@10V

    连续漏极电流:26.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:6.2mΩ@18A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7461DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7461DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.9W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:8.6A

    类型:P沟道

    导通电阻:14.5mΩ@14.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG50PBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFPG50PBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFPG50PBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:190W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2800pF@25V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@3.6A,10V

    漏源电压:1000V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFP32N50KPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2年内

    包装规格(MPQ):25psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFP32N50KPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:460W

    阈值电压:5V@250µA

    栅极电荷:190nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5280pF@25V

    连续漏极电流:32A

    类型:N沟道

    导通电阻:160mΩ@32A,10V

    漏源电压:500V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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