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    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:36W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:3.415nF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:232pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月26日前
    - +
    起购:500
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:36W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:3.415nF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:232pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月26日前
    - +
    起购:30
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:36W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:3.415nF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:232pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月26日前
    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A 起订4个装
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A 起订4个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月11日前
    - +
    起购:4
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    输入电容:3.415nF@15V

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.6V@250μA

    类型:1个N沟道

    功率:36W

    反向传输电容:232pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    连续漏极电流:40A

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月27日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:6
    AOS Mosfet场效应管 AON6414AL
    AOS Mosfet场效应管 AON6414AL

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414AL

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:13
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4906NA-35G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4906NA-35G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":22125}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4906NA-35G

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1932pF@15V

    连续漏极电流:10.3A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:2290
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMA530PZ 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMA530PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.4W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1070pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:35mΩ@6.8A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC610PZ
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC610PZ

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC610PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:8
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:150mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7698
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7698

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":101,"22+":1000,"MI+":6000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7698

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€29W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:1281
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:150mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:150mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:12
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订25个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订25个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:20
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订1000个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订1000个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A
    AOS Mosfet场效应管 AON7400A

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON7400A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€25W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:15A€40A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9435BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9435BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4.1A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@5.7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC610PZ
    onsemi Mosfet场效应管 FDC610PZ

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC610PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:9000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC610PZ 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC610PZ 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC610PZ

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1005pF@15V

    连续漏极电流:4.9A

    类型:P沟道

    导通电阻:42mΩ@4.9A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7698 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDMS7698 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDMS7698

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W€29W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1605pF@15V

    连续漏极电流:13.5A€22A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订100个装
    AOS Mosfet场效应管 AON6414A 起订100个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AON6414A

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.3W€31W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1380pF@15V

    连续漏极电流:13A€30A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMP3130LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP3130LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:1.3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@15V

    连续漏极电流:3.5A

    导通电阻:150mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订24个装
    AOS Mosfet场效应管 AO4468 起订24个装

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AO4468

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1200pF@15V

    连续漏极电流:10.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:14mΩ@11.6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:24
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