栅极电荷
    连续漏极电流
    40A
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    栅极电荷: 24nC@10V
    连续漏极电流: 40A
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    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:36W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:3.415nF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:232pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月26日前
    - +
    起购:500
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:36W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:3.415nF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:232pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月26日前
    - +
    起购:30
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:36W

    阈值电压:1.6V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:3.415nF@15V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    反向传输电容:232pF@15V

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月26日前
    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q 起订3个装
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q 起订3个装

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月11日前
    - +
    起购:3
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788
    杰盛微 Mosfet场效应管 JSM7788

    品牌:杰盛微

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):JSM7788

    输入电容:3.415nF@15V

    漏源电压:30V

    阈值电压:1.6V@250μA

    类型:1个N沟道

    功率:36W

    反向传输电容:232pF@15V

    工作温度:-55℃~+150℃

    导通电阻:4.5mΩ@10V,20A

    连续漏极电流:40A

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月27日前
    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1 起订4个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1 起订4个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:2000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:10
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月26日前
    - +
    起购:1000
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月26日前
    - +
    起购:2000
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月26日前
    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月26日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月28日前
    - +
    起购:1500
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:4
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IAUZ40N10S5N130ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IAUZ40N10S5N130ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:3.8V@27µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1525pF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:1000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M9R5-40HX 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M9R5-40HX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1537pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:9.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:500
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q
    TOSHIBA Mosfet场效应管 TPN1200APL,L1Q

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TPN1200APL,L1Q

    功率:104W€630mW

    阈值电压:2.5V@300μA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.855nF@50V

    连续漏极电流:40A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@20A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月11日前
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    起购:2000
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