品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD175N10TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509END3TL1
工作温度：150℃
功率：94W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3P175SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：950pF@25V
连续漏极电流：17.5A
类型：N沟道
导通电阻：105mΩ@8.8A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：R6509ENXC7G
工作温度：150℃
功率：48W
阈值电压：4V@230µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：430pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：585mΩ@2.8A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
