栅极电荷: 0.6nC@4.5V
    行业应用: 汽车
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    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:17
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:30000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

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    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:25
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:3000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
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    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:17
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1000个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订1000个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

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    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    输入电容:40pF@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
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    起购:1000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

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    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:9000
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订500个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订500个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:500
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订100个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订100个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

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    功率:150mW

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:100
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订25个装
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF 起订25个装

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

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    输入电容:40pF@10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:25
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月4日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订15个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订15个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

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    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:15
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订4个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002E-T1-E3 起订4个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002E-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:21pF@5V

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:3Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    6月19日前
    - +
    起购:4
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    连续漏极电流:300mA

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月5日前
    - +
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF
    GIGADEVICE Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LF

    品牌:GIGADEVICE

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LF

    连续漏极电流:300mA

    功率:150mW

    包装方式:卷带(TR)

    工作温度:150℃

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    输入电容:40pF@10V

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月5日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1330EDL-T1-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-E3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1330EDL-T1-E3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1330EDL-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:280mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:240mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2.5Ω@250mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订82个装
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3 起订82个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:350mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:82
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3K72KFS,LXHF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3K72KFS,LXHF

    工作温度:150℃

    功率:150mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:40pF@10V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.5Ω@100mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:9
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:13
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:17+

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:0.35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:489
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:0.35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-13 起订48个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0U-13 起订48个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0U-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:520mW

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:37.1pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    类型:N沟道

    导通电阻:2Ω@50mA,5V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215
    NEXPERIA Mosfet场效应管 2N7002BK,215

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002BK,215

    工作温度:150℃

    功率:370mW

    阈值电压:2.1V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:50pF@10V

    连续漏极电流:350mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:201
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0L-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0L-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:36
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7
    DIODES Mosfet场效应管 DMN53D0LQ-7

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMN53D0LQ-7

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:370mW

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:46pF@25V

    连续漏极电流:500mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6Ω@500mA,10V

    漏源电压:50V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 2N7002K-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):2N7002K-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:0.35W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:300mA

    导通电阻:

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
    起购:12000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订23个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI1022R-T1-GE3 起订23个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI1022R-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:250mW

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:0.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:30pF@25V

    连续漏极电流:330mA

    类型:N沟道

    导通电阻:1.25Ω@500mA,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    6月19日前
    - +
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