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    包装方式: Tube
    功率: 156W
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+155℃

    功率:156W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:35nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:13A

    类型:MOSFET

    导通电阻:304mΩ

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:250
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4003SCT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:75.6nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:205A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:168mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4003SCT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:75.6nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:205A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG186N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHG186N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHG186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:168mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+155℃

    功率:156W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:35nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:13A

    类型:MOSFET

    导通电阻:304mΩ

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+155℃

    功率:156W

    阈值电压:4V

    栅极电荷:35nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:13A

    类型:MOSFET

    导通电阻:304mΩ

    漏源电压:800V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:168mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA186N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHA186N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1000psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHA186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:193mΩ

    漏源电压:650V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4003SCT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:75.6nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:205A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:5000
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4003SCT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:75.6nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:205A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月27日前
    - +
    起购:200
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:168mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT
    DIODES Mosfet场效应管 DMT4003SCT

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMT4003SCT

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:2V

    栅极电荷:75.6nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:205A

    类型:MOSFET

    导通电阻:3mΩ

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:750
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHB186N60EF-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):1psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIHB186N60EF-GE3

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:156W

    阈值电压:5V

    栅极电荷:32nC

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:8.4A

    类型:MOSFET

    导通电阻:168mΩ

    漏源电压:600V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIHP15N80AE-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):1000psc

    规格型号(MPN):SIHP15N80AE-GE3

    工作温度:-55℃~+155℃

    阈值电压:4V

    功率:156W

    包装方式:Tube

    连续漏极电流:13A

    栅极电荷:35nC

    导通电阻:304mΩ

    漏源电压:800V

    类型:MOSFET

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    4月28日前
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