漏源电压: 60V
    阈值电压: 3.4V@250µA
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:42.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5340pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:78nC@7.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

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    类型:N沟道

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AOTF66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF66616L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€30W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@30V

    连续漏极电流:38A€72.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    漏源电压:60V

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    库存:有货

    5月15日前
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    起购:1500
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SIR626DP-T1-RE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:104W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:78nC@7.5V

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    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

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    输入电容:1490pF@30V

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

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    功率:3.2W

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    包装方式:卷带(TR)

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    导通电阻:3.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

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    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:42.8A€100A

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-RE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-RE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

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    功率:3.2W

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    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

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    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

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    库存:有货

    5月15日前
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    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOT66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOT66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

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    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@30V

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    类型:N沟道

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    AOS Mosfet场效应管 AOT66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOT66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT66616L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€125W

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    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@30V

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    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:25
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5BT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5BT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W€156W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

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    连续漏极电流:100A

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:100
    AOS Mosfet场效应管 AOT66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOT66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOT66616L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€125W

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    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@30V

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    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    AOS Mosfet场效应管 AOTF66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOTF66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOTF66616L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€30W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2870pF@30V

    连续漏极电流:38A€72.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@20A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B
    TI Mosfet场效应管 CSD18532NQ5B

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18532NQ5B

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3.4V@250µA

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    包装方式:卷带(TR)

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    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AONS66641
    AOS Mosfet场效应管 AONS66641

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AONS66641

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.2W€208W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:110nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@30V

    连续漏极电流:47A€275A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIDR626DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIDR626DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6.25W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:102nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5130pF@30V

    连续漏极电流:42.8A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.7mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    AOS Mosfet场效应管 AOB66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOB66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB66616L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@30V

    连续漏极电流:38.5A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS184DN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS184DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.7W€52W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1490pF@30V

    连续漏极电流:17.4A€65.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.8mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:10
    AOS Mosfet场效应管 AOB66616L
    AOS Mosfet场效应管 AOB66616L

    品牌:AOS

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):AOB66616L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.3W€125W

    阈值电压:3.4V@250µA

    栅极电荷:60nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2870pF@30V

    连续漏极电流:38.5A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:100
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