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    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 SVD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SVD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P沟道

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI3127DV-T1-GE3 起订5个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI3127DV-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€4.2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:833pF@20V

    连续漏极电流:3.5A€13A

    类型:P沟道

    导通电阻:89mΩ@1.5A,4.5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T2_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T2_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RSD221N06TL
    ROHM Mosfet场效应管 RSD221N06TL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSD221N06TL

    工作温度:150℃

    功率:850mW€20W

    阈值电压:3V@1mA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1500pF@10V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@22A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ850EP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ850EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1225pF@30V

    连续漏极电流:24A

    类型:N沟道

    导通电阻:23mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N-Channel

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SIS862ADN-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SIS862ADN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.6W€39W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1235pF@30V

    连续漏极电流:15.8A€52A

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD86580-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD86580-F085

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4.2V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1430pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:19mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFS3806TRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFS3806TRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N-Channel

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6050SPS-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6050SPS-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.3W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2163pF@30V

    连续漏极电流:5.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJA60EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJA60EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:N沟道

    导通电阻:12.5mΩ@8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N-Channel

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR3806TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR3806TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N-Channel

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7
    ST Mosfet场效应管 STP100N6F7

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):STP100N6F7

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1980pF@25V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO613SPVGXUMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSO613SPVGXUMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSO613SPVGXUMA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2.5W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:875pF@25V

    连续漏极电流:3.44A

    类型:P沟道

    导通电阻:130mΩ@3.44A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD20N06T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD20N06T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.88W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1015pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:N沟道

    导通电阻:46mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3806PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3806PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFB3806PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:71W

    阈值电压:4V@50µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1150pF@50V

    连续漏极电流:43A

    类型:N-Channel

    导通电阻:15.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4850EY-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1250pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:N沟道

    导通电阻:22mΩ@6A,5V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD2955T4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD2955T4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:30nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:750pF@25V

    连续漏极电流:12A

    类型:P-Channel

    导通电阻:180mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
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