品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM280NB06LCR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：969pF@30V
连续漏极电流：7A€28A
类型：N沟道
导通电阻：28mΩ@7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RD3L150SNTL1
工作温度：-55℃~150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：590pF@30V
连续漏极电流：5A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NQ5A
工作温度：-55℃~150℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：13mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~+150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250μA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：1个N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP20NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：400pF@25V
连续漏极电流：20A
类型：N沟道
导通电阻：70mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D120-60PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.3W€15W
阈值电压：3.2V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：724pF@30V
连续漏极电流：3A€8A
类型：P沟道
导通电阻：120mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDC5612
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.6W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
输入电容：650pF@25V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：55mΩ@4.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RSD150N06TL
工作温度：150℃
功率：20W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：930pF@10V
连续漏极电流：15A
类型：N沟道
导通电阻：40mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18537NKCS
工作温度：-55℃~150℃
功率：94W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1480pF@30V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
