品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~+175℃
功率：48.4W€2.4W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：25A€5.5A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TQM300NB06CR RLG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：3.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1009pF@30V
连续漏极电流：6A€27A
类型：N沟道
导通电阻：30mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJW7N06A_R2_00001
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3.1W
阈值电压：2.5V@250μA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1.173nF@25V
连续漏极电流：6.6A
类型：1个N沟道
导通电阻：34mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD25N06A_L2_00001
工作温度：-55℃~150℃
功率：2W€40W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1173pF@25V
连续漏极电流：5.5A€25A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
