漏源电压: 60V
    连续漏极电流: 1.8A
    当前匹配商品:100+
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:500mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:8
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF-BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF-BE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVC3S5A51PLZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC3S5A51PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.2W

    阈值电压:2.6V@1mA

    栅极电荷:6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:262pF@20V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:250mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:500mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2500
    加购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:750
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":3000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:989
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400μA

    连续漏极电流:1.8A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:300mΩ@10V,1.8A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订8个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1 起订8个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:15000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:500mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:300
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订11个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMN230ENEAX 起订11个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMN230ENEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:625mW€5.4W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:3.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:110pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:222mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订2500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF 起订2500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:12nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:500mΩ@1.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:500mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTGS5120PT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTGS5120PT1G

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:600mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:942pF@30V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:111mΩ@2.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 BSP295H6327XTSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSP295H6327XTSA1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.8W

    阈值电压:1.8V@400µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:368pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:300mΩ@1.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:2000
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFL9014TRPBF

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFL9014TRPBF

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:2W€3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:270pF@25V

    连续漏极电流:1.8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:500mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
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