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    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS6385
    ANBON SEMI Mosfet场效应管 AS6385

    品牌:ANBON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AS6385

    功率:1.4W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:85mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:23
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:11
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:16
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N06HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 UT6KC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 UT6KC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:2145

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6KC5TCR

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:3.1nC@10V

    输入电容:135pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:95mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:13
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3000
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:9
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENEAR

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 UT6KC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 UT6KC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6KC5TCR

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:3.1nC@10V

    输入电容:135pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:95mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:20
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9945
    onsemi Mosfet场效应管 NDS9945

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDS9945

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N06HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:30
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.19nF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:300
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR
    ROHM Mosfet场效应管 RSQ035N06HZGTR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RSQ035N06HZGTR

    工作温度:150℃

    功率:950mW

    栅极电荷:6.5nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA
    DIODES Mosfet场效应管 ZXMN6A08E6TA

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):ZXMN6A08E6TA

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.1W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:5.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:459pF@40V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N-Channel

    导通电阻:80mΩ@4.8A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV37ENER

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV37ENER

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:710mW€8.3W

    阈值电压:2.7V@250µA

    栅极电荷:13nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:49mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR
    ROHM Mosfet场效应管 RQ6L035ATTCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ6L035ATTCR

    功率:950mW

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.19nF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:78mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945
    onsemi Mosfet场效应管 FDS9945

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS9945

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:420pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:100mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL
    ROHM Mosfet场效应管 RQ5L035GNTCL

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):RQ5L035GNTCL

    工作温度:150℃

    功率:700mW

    阈值电压:2.7V@50µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:7.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:375pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    ROHM Mosfet场效应管 UT6KC5TCR
    ROHM Mosfet场效应管 UT6KC5TCR

    品牌:ROHM

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):UT6KC5TCR

    功率:2W

    阈值电压:2.5V@1mA

    栅极电荷:3.1nC@10V

    输入电容:135pF@30V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:2个N沟道

    导通电阻:95mΩ@3.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF
    TOSHIBA Mosfet场效应管 SSM3J351R,LF

    品牌:东芝(TOSHIBA)

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SSM3J351R,LF

    工作温度:150℃

    功率:2W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660pF@10V

    连续漏极电流:3.5A

    类型:P沟道

    导通电阻:134mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
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    起购:1000
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