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    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:5000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订10个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:10
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

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    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订4个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订4个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
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    起购:10
    谷峰 Mosfet场效应管 G6P06
    谷峰 Mosfet场效应管 G6P06

    品牌:谷峰

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):G6P06

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250μA

    连续漏极电流:4A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:58mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:23
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:11
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:250
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A_R2_00001

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:500
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:509pF@15V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1000
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订100个装
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4P06A_R2_00001 起订100个装

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4P06A_R2_00001

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.1W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:10nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:785pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:110mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月30日前
    - +
    起购:100
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1
    强茂 Mosfet场效应管 PJW4N06A-AU_R2_000A1

    品牌:强茂

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PJW4N06A-AU_R2_000A1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:4A

    导通电阻:100mΩ@3A,10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    漏源电压:60V

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:5.1nC@4.5V

    输入电容:509pF@15V

    ECCN:EAR99

    功率:3.7W

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月1日前
    - +
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6 起订3000个装
    ST Mosfet场效应管 STL12P6F6 起订3000个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL12P6F6

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:6.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@48V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:160mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:15nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:250pF@30V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L 起订7个装
    ST Mosfet场效应管 STN4NF06L 起订7个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN4NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:7
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L
    onsemi Mosfet场效应管 NDT3055L

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NDT3055L

    工作温度:-65℃~150℃

    功率:3W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:20nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:345pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:100mΩ@4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4000
    加购:4000
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVC6S5A354PLZT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":2292,"18+":32950,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVC6S5A354PLZT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.9W

    阈值电压:2.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@20V

    连续漏极电流:4A

    类型:P沟道

    导通电阻:100mΩ@2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:1625
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06L
    ST Mosfet场效应管 STN3NF06L

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STN3NF06L

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.8V@250µA

    栅极电荷:9nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:340pF@25V

    连续漏极电流:4A

    类型:N-Channel

    导通电阻:100mΩ@1.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月15日前
    - +
    起购:4000
    加购:4000
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