品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G230P06K
阈值电压：4V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：17mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G230P06T
阈值电压：4V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：MINOS
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：MDT60N06D
工作温度：-55℃~+175℃
功率：87W
阈值电压：3V@250μA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：910pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
反向传输电容：30pF@25V
导通电阻：12mΩ@10V，25A
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT088N06T
工作温度：-55℃~+150℃
功率：75W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.62nF@30V
连续漏极电流：60A
类型：1个N沟道
导通电阻：8mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：G230P06T
阈值电压：4V
连续漏极电流：60A
类型：1个P沟道
导通电阻：18mΩ@10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB60NF06LT4
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N-Channel
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SISS26DN-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：57W
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
类型：N-Channel
导通电阻：4.5mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL50N6F7
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：17nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1035pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@7.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR664DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：50W
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
连续漏极电流：60A
导通电阻：6mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJA02EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：3.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：80nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：4.8mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR688DP-T1-GE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：5.4W€83W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3105pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：3.5mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF60B217
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.7V@50µA
栅极电荷：66nC@10V
包装方式：管件
输入电容：2230pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N-Channel
导通电阻：9mΩ@36A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06L
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP65NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：75nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L，LXHQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SIR182DP-T1-RE3
工作温度：-55℃~150℃
功率：69.4W
阈值电压：3.6V@250µA
栅极电荷：64nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3250pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.8mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TPH2R306NH，L1Q
工作温度：150℃
功率：1.6W€78W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：72nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6100pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06
工作温度：-55℃~175℃
功率：110W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：73nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1660pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP60NF06L
工作温度：-65℃~175℃
功率：110W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：66nC@4.5V
包装方式：管件
输入电容：2000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：东芝（TOSHIBA）
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：TJ60S06M3L(T6L1，NQ
工作温度：175℃
功率：100W
阈值电压：3V@1mA
栅极电荷：156nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7760pF@10V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：11.2mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：23200}
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTB5412NT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：125W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：85nC@0V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3220pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@30A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18543Q3A
工作温度：-55℃~150℃
功率：66W
阈值电压：2.7V@250µA
栅极电荷：14.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1150pF@30V
连续漏极电流：60A
类型：N沟道
导通电阻：9.9mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
