品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:谷峰
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):G700P06D3
阈值电压:2.5V
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
类型:1个P沟道
导通电阻:57mΩ@10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
工作温度:-55℃~150℃
功率:20W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:870pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM680P06CP ROG
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:18A
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:68mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
功率:20W
栅极电荷:16.4nC@10V
类型:P沟道
阈值电压:2.2V@250µA
输入电容:870pF@30V
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD640N06LGBTMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2V@16µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@30V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34SPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD640N06L G
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
连续漏极电流:18A
类型:N-Channel
导通电阻:64mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P-Channel
导通电阻:140mΩ
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€88W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):RFD12N06RLESM9A
工作温度:-55℃~+175℃
功率:49W
阈值电压:3V@250μA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:485pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:1个N沟道
导通电阻:63mΩ@10V,18A
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF9Z34PBF-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:88W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1100pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:P沟道
导通电阻:140mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货