商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    功率:5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS5351
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDS5351

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:27nC@10V

    输入电容:1310pF@30V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:35mΩ@6.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:25
    加购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:700pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:6
    SANKEN Mosfet场效应管 SLA5064
    SANKEN Mosfet场效应管 SLA5064

    品牌:SANKEN

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):180psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):SLA5064

    工作温度:150℃

    功率:5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:散装

    输入电容:460pF@10V€1200pF@10V

    连续漏极电流:10A

    类型:3个N沟道和3个P沟道(3相桥式)

    导通电阻:140mΩ@5A,4V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:95mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    加购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI9407BDY-T1-E3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI9407BDY-T1-E3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:600pF@30V

    连续漏极电流:4.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:120mΩ@3.2A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    功率:5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    功率:5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    功率:5W

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:95mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:11
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:6
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    导通电阻:95mΩ

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:50
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.31nF@30V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,6.1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3

    功率:5W

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P-Channel

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.31nF@30V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,6.1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4917EY-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4917EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:65nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1910pF@30V

    连续漏极电流:8A

    类型:P-Channel

    导通电阻:48mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS5351 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS5351

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:5W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:27nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1.31nF@30V

    连续漏极电流:6.1A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:35mΩ@10V,6.1A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3426EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:12nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:720pF@30V

    连续漏极电流:7A

    类型:N沟道

    导通电阻:42mΩ@5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3427AEEV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3427AEEV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:22nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1000pF@30V

    连续漏极电流:5.3A

    类型:P沟道

    导通电阻:95mΩ@4.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月11日前
    - +
    起购:100
    正在加载中,请稍后~~
    <上一页1234下一页>4页  到第确定
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧