漏源电压: 60V
    功率: 1.6W
    当前匹配商品:100+
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    DIODES Mosfet场效应管 DMHC6070LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC6070LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC6070LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:731pF@20V€618pF@20V

    连续漏极电流:3.1A€2.4A

    导通电阻:100mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:2
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:15000
    加购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":2238}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:5000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5614P

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:P沟道

    导通电阻:105mΩ@3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:12
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC6070LSD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC6070LSD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC6070LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:731pF@20V€618pF@20V

    连续漏极电流:3.1A€2.4A

    导通电阻:100mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SK3-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SK3-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:30
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    加购:5
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SK3-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMP6185SK3-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMP6185SK3-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:708pF@30V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:P沟道

    导通电阻:150mΩ@12A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612 起订15000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:15000
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5614P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5614P

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250μA

    栅极电荷:24nC@10V

    输入电容:759pF@30V

    连续漏极电流:3A

    类型:1个P沟道

    导通电阻:105mΩ@10V,3A

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:500
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:750
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~+150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250μA

    栅极电荷:18nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:1个N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDC5661N-F085 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5661N-F085

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:763pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

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    导通电阻:47mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC6070LSD-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMHC6070LSD-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMHC6070LSD-13

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:731pF@20V€618pF@20V

    连续漏极电流:3.1A€2.4A

    导通电阻:100mΩ@1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订200个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI2308CDS-T1-GE3 起订200个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI2308CDS-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:105pF@30V

    连续漏极电流:2.6A

    类型:N沟道

    导通电阻:144mΩ@1.9A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
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    起购:200
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:100
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
    - +
    起购:1000
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDC5612

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDC5612

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@10V

    输入电容:650pF@25V

    连续漏极电流:4.3A

    类型:N沟道

    导通电阻:55mΩ@4.3A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月12日前
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