品牌：谷峰
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：GT110N06S
工作温度：-55℃~+150℃
功率：3W
阈值电压：2.4V@250μA
栅极电荷：24nC@10V
输入电容：1.3nF@25V
连续漏极电流：14A
类型：1个N沟道
反向传输电容：54pF@25V
导通电阻：8.5mΩ
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：BiPOM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1142，"22+"：1651}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：1447
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2362ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：550pF@30V
连续漏极电流：4.3A
类型：N沟道
导通电阻：95mΩ@4.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：345pF@25V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT3055
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：250pF@30V
连续漏极电流：4A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GVTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N-Channel
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L151ATTB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：130nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6900pF@30V
连续漏极电流：56A
类型：P沟道
导通电阻：11.3mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ROHM
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HP8M31TB1
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：470pF@30V€2300pF@30V
连续漏极电流：8.5A
类型：N和P沟道
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT014L
工作温度：-65℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：214pF@30V
连续漏极电流：2.8A
类型：N沟道
导通电阻：160mΩ@3.4A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NDT2955
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：15nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：601pF@30V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：300mΩ@2.5A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：ZVN4306GTA
工作温度：-55℃~150℃
功率：3W
阈值电压：3V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：2.1A
类型：N沟道
导通电阻：330mΩ@3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：RS1L180GNTB
工作温度：150℃
功率：3W
阈值电压：2.5V@100µA
栅极电荷：63nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3230pF@30V
连续漏极电流：18A€68A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@18A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2364EES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：3W
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：2.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：330pF@25V
连续漏极电流：2A
类型：N沟道
导通电阻：240mΩ@2A，4.5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
