品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
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功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
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阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
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类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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功率：347mW
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栅极电荷：1nC@5V
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类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
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阈值电压：3V@250µA
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类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
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输入电容：30.3pF@25V
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类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：1nC@5V
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输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
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工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
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类型：P沟道
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阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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功率：347mW
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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类型：P沟道
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销售单位：个
规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：NTR5105PT1G
工作温度：-55℃~150℃
功率：347mW
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：1nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30.3pF@25V
连续漏极电流：196mA
类型：P沟道
导通电阻：5Ω@100mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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