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    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612
    onsemi Mosfet场效应管 FDD5612

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD5612

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3.8W(Ta),42W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:11 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:660 pF @ 30 V

    连续漏极电流:5.4A(Ta)

    类型:N 通道

    导通电阻:55 毫欧 @ 5.4A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流:35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流:35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数1000个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ464EP-T1_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:45W(Tc)

    阈值电压:2.5V @ 250µA

    栅极电荷:44 nC @ 10 V

    输入电容:2086 pF @ 30 V

    连续漏极电流:32A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:17 毫欧 @ 7.1A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2500
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:500
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:2000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订数10个
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFB3006PBF 起订数10个

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:375W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:300 nC @ 10 V

    输入电容:8970 pF @ 50 V

    连续漏极电流:195A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2.5 毫欧 @ 170A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3
    onsemi Mosfet场效应管 HUF76423P3

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):HUF76423P3

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:85W(Tc)

    阈值电压:3V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:34 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:1060 pF @ 25 V

    连续漏极电流:35A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:30 毫欧 @ 35A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数300个
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数300个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:231W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:151 nC @ 10 V

    输入电容:9815 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.2 毫欧 @ 75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数500个
    onsemi Mosfet场效应管 FDI030N06 起订数500个

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:231W(Tc)

    阈值电压:4.5V @ 250µA

    栅极电荷:151 nC @ 10 V

    输入电容:9815 pF @ 25 V

    连续漏极电流:120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.2 毫欧 @ 75A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订数500个
    VISHAY Mosfet场效应管 SQM50034E_GE3 起订数500个

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    销售单位:

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:150W(Tc)

    阈值电压:3.5V @ 250µA

    栅极电荷:90 nC @ 10 V

    输入电容:6600 pF @ 25 V

    连续漏极电流:100A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:3.9 毫欧 @ 20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月25日前
    - +
    起购:100
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月25日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月25日前
    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP020N06NAKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP020N06NAKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP020N06NAKSA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),214W(Tc)

    阈值电压:2.8V @ 143µA

    栅极电荷:106 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:7800 pF @ 30 V

    连续漏极电流:29A(Ta),120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月25日前
    - +
    起购:50
    加购:50
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP020N06NAKSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPP020N06NAKSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPP020N06NAKSA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:3W(Ta),214W(Tc)

    阈值电压:2.8V @ 143µA

    栅极电荷:106 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:7800 pF @ 30 V

    连续漏极电流:29A(Ta),120A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:2 毫欧 @ 100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月25日前
    - +
    起购:100
    加购:50
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0
    onsemi Mosfet场效应管 FDD13AN06A0

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD13AN06A0

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:115W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:29 nC @ 10 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350 pF @ 25 V

    连续漏极电流:9.9A(Ta),50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:13.5 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:1000
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06
    onsemi Mosfet场效应管 FQP17P06

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FQP17P06

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:4V @ 250µA

    栅极电荷:27 nC @ 10 V

    包装方式:管件

    输入电容:900 pF @ 25 V

    连续漏极电流:17A(Tc)

    类型:P 通道

    导通电阻:120 毫欧 @ 8.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
    - +
    起购:40
    加购:26
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD079N06L3GBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD079N06L3GBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD079N06L3GBTMA1

    工作温度:-55°C~175°C(TJ)

    功率:79W(Tc)

    阈值电压:2.2V @ 34µA

    栅极电荷:29 nC @ 4.5 V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4900 pF @ 30 V

    连续漏极电流:50A(Tc)

    类型:N 通道

    导通电阻:7.9 毫欧 @ 50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    5月10日前
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    起购:3
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