品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8600pF@30V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@90A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G
工作温度:-55℃~150℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:8600pF@30V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@90A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF75
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:有货
品牌:Taiwan Semiconductor
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
包装规格(MPQ):50psc
规格型号(MPN):TSM190N08CZ C0G
漏源电压:75V
工作温度:-55℃~150℃
导通电阻:4.2mΩ@90A,10V
功率:250W
输入电容:8600pF@30V
连续漏极电流:190A
类型:N沟道
包装方式:管件
栅极电荷:160nC@10V
阈值电压:4V@250µA
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTH80N075L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:103 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3600 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP023NE7N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:3.8V@273µA
栅极电荷:206nC@10V
包装方式:管件
输入电容:14400pF@37.5V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP7718PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:517W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:830nC@10V
包装方式:管件
输入电容:29550pF@25V
连续漏极电流:355A
类型:N-Channel
导通电阻:1.8mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3307PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N-Channel
导通电阻:6.3mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTA80N075L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:103 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3600 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP80N075L2
工作温度:-55°C~150°C(TJ)
功率:357W(Tc)
阈值电压:4.5V @ 250µA
栅极电荷:103 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:3600 pF @ 25 V
连续漏极电流:80A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:24 毫欧 @ 40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:NXP
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":1000,"9999":300}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7506-75B,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7446pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.6mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP100N08S2L07AKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:246nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5400pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:6.8mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXTP120N075T2
工作温度:-55℃~175℃
功率:250W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:78nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4740pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:7.7mΩ@60A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFP4368PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:520W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:570nC@10V
包装方式:管件
输入电容:19230pF@50V
连续漏极电流:350A
类型:N-Channel
导通电阻:1.85mΩ@195A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
销售单位:个
规格型号(MPN):AOT470
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
包装方式:管件
连续漏极电流:100A
类型:N-Channel
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
生产批次:{"09+":84,"12+":4000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9509-75A,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:管件
输入电容:8840pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@25A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2907ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:270nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7500pF@25V
连续漏极电流:160A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3307PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:4V@150µA
栅极电荷:180nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5150pF@50V
连续漏极电流:120A
类型:N-Channel
导通电阻:6.3mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB7730PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.7V@250µA
栅极电荷:407nC@10V
包装方式:管件
输入电容:13660pF@25V
连续漏极电流:246A
类型:N-Channel
导通电阻:2.6mΩ@100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3607PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:140W
阈值电压:4V@100µA
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3070pF@50V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@46A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF2807ZPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:170W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3270pF@25V
连续漏极电流:89A
类型:N-Channel
导通电阻:9.4mΩ@53A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP160N75F3
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:管件
输入电容:6750pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@60A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:Littelfuse
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IXFH400N075T2
工作温度:-55°C~175°C(TJ)
功率:1000W(Tc)
阈值电压:4V @ 250µA
栅极电荷:420 nC @ 10 V
包装方式:管件
输入电容:24000 pF @ 25 V
连续漏极电流:400A(Tc)
类型:N 通道
导通电阻:2.3 毫欧 @ 100A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF3808PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:220nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5310pF@25V
连续漏极电流:140A
类型:N沟道
导通电阻:7mΩ@82A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF75FP
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP75NF75
工作温度:-55℃~175℃
功率:300W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@40A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":10697,"MI+":800}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP047N08-F102
工作温度:-55℃~175℃
功率:268W
阈值电压:4.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:152nC@10V
包装方式:管件
输入电容:9415pF@25V
连续漏极电流:164A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@80A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":1600,"18+":1900}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDP16AN08A0
工作温度:-55℃~175℃
功率:135W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1857pF@25V
连续漏极电流:9A€58A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@58A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":100,"22+":800}
包装规格(MPQ):100psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFB3207PBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:330W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:管件
输入电容:7600pF@50V
连续漏极电流:170A
类型:N-Channel
导通电阻:4.5mΩ@75A,10V
漏源电压:75V
包装清单:商品主体 * 1
库存:无货