品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN7022LFG-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：900mW
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2737pF@35V
连续漏极电流：7.8A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@7.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
工作温度：-55℃~150℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB060AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：255W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：95nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5150pF@25V
连续漏极电流：16A€80A
类型：N沟道
导通电阻：6mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
销售单位：个
规格型号(MPN)：STB75NF75T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：STP75NF75
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@40A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：Taiwan Semiconductor
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：TSM190N08CZ C0G
漏源电压：75V
工作温度：-55℃~150℃
导通电阻：4.2mΩ@90A，10V
功率：250W
输入电容：8600pF@30V
连续漏极电流：190A
类型：N沟道
包装方式：管件
栅极电荷：160nC@10V
阈值电压：4V@250µA
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07113
工作温度：150℃
功率：3.1W€77W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4040pF@25V
连续漏极电流：9A
类型：N沟道
导通电阻：9.1mΩ@27.2A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS037N08B
工作温度：-55℃~150℃
功率：830mW€104.2W
阈值电压：4.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5915pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.7mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7214-75B，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：41nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2612pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N08S207ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：180nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4700pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：7.1mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7Y18-75B，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：105W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：35nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2173pF@25V
连续漏极电流：49A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@20A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC042NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€125W
阈值电压：3.8V@91µA
栅极电荷：69nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@37.5V
连续漏极电流：19A€100A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMS3500
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€96W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4765pF@40V
连续漏极电流：9.2A€49A
类型：N沟道
导通电阻：14.5mΩ@11.5A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3207ZTRRPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@150µA
栅极电荷：170nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6920pF@50V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@75A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3107TRL7PP
工作温度：-55℃~175℃
功率：370W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：240nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9200pF@50V
连续漏极电流：240A
类型：N沟道
导通电阻：2.6mΩ@160A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP023NE7N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：3.8V@273µA
栅极电荷：206nC@10V
包装方式：管件
输入电容：14400pF@37.5V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@110µA
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB045AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：138nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6600pF@25V
连续漏极电流：19A€90A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSC036NE7NS3GATMA1
工作温度：-55℃~150℃
功率：2.5W€156W
阈值电压：3.8V@110µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：63.4nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4400pF@37.5V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：GKI07301
工作温度：150℃
功率：3.1W€46W
阈值电压：2.5V@350µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1580pF@25V
连续漏极电流：6A
类型：N沟道
导通电阻：23.2mΩ@12.4A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRFS3607TRLPBF
工作温度：-55℃~175℃
功率：140W
阈值电压：4V@100µA
栅极电荷：84nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3070pF@50V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@46A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-75A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"10+"：374，"13+"：239，"MI+"：230}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD16AN08A0
工作温度：-55℃~175℃
功率：135W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：47nC@10V
输入电容：1874pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：N沟道
导通电阻：16mΩ@50A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"08+"：1000，"9999"：300}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7506-75B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：管件
输入电容：7446pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：5.6mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP100N08S2L07AKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：300W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：246nC@10V
包装方式：管件
输入电容：5400pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：6.8mΩ@80A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IXTP120N075T2
工作温度：-55℃~175℃
功率：250W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：78nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4740pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"15+"：329，"17+"：378，"18+"：6767}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6610-75C，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：158W
阈值电压：2.8V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：81nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5251pF@25V
连续漏极电流：78A
类型：N沟道
导通电阻：10mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9609-75A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：230W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：8840pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：8.5mΩ@25A，10V
漏源电压：75V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
