品牌
    连续漏极电流
    25A
    包装方式
    功率
    行业应用
    漏源电压
    连续漏极电流: 25A
    类型: 2N沟道(双)
    当前匹配商品:80+
    商品信息
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    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:有货

    7月3日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BPSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BPSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BPSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@10mA

    包装方式:托盘

    输入电容:1840pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1PB11BPSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1PB11BPSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":30}

    销售单位:

    规格型号(MPN):DF23MR12W1M1PB11BPSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@10mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:1840pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
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    起购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 FF45MR12W1M1B11BOMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 FF45MR12W1M1B11BOMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":3,"22+":29}

    包装规格(MPQ):24psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):FF45MR12W1M1B11BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@10mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:1840pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
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    起购:7
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:100
    加购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:50
    加购:5
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BPSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BPSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BPSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@10mA

    包装方式:托盘

    输入电容:1840pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
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    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:1000
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:25
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BOMA1 起订50个装
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BOMA1 起订50个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":70,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.5V@10mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:2000pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:50
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:10
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:750
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:25
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7232DN-T1-GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7232DN-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:23W

    阈值电压:1V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1220pF@10V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16.4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:250
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:9000
    加购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BPSA1
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BPSA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":24,"21+":192}

    销售单位:

    规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BPSA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.55V@10mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:1840pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月18日前
    - +
    起购:50
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SI7272DP-T1-GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SI7272DP-T1-GE3

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:22W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1100pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9.3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:6000
    加购:3000
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT 起订250个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT 起订250个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:250
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BOMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 DF23MR12W1M1B11BOMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"17+":70,"19+":2}

    销售单位:

    规格型号(MPN):DF23MR12W1M1B11BOMA1

    工作温度:-40℃~150℃

    阈值电压:5.5V@10mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:托盘

    输入电容:2000pF@800V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:45mΩ@25A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:4
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT
    TI Mosfet场效应管 CSD87335Q3DT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):250psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87335Q3DT

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:6W

    阈值电压:1.9V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1050pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2500个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2500个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

    7月3日前
    - +
    起购:2500
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D 起订2个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:无货

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    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD87352Q5D
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    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD87352Q5D

    工作温度:-55℃~150℃

    功率:8.5W

    阈值电压:1.15V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@15V

    连续漏极电流:25A

    类型:2N沟道(双)

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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