品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：有货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN30H4D0LFDE-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：630mW
阈值电压：2.8V@250µA
栅极电荷：7.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：187.3pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：4Ω@300mA，10V
漏源电压：300V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：3000，"22+"：21000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP122，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@750mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP122，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@750mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMP2004DMK-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：500mW
阈值电压：1V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：175pF@16V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：900mΩ@430mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP122，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@750mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP122，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@750mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMDT670UPE，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：330mW
阈值电压：1.3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：87pF@10V
连续漏极电流：550mA
类型：2个P沟道（双）
导通电阻：850mΩ@400mA，4.5V
漏源电压：20V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN3900UFA-7B
工作温度：-55℃~150℃
功率：390mW
阈值电压：950mV@250µA
栅极电荷：0.7nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：42.2pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：760mΩ@200mA，4.5V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMN63D1LV-7
工作温度：-55℃~150℃
功率：940mW
阈值电压：2.5V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：30pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：2N沟道（双）
导通电阻：2Ω@500mA，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BSP122，115
工作温度：-55℃~150℃
功率：1.5W
阈值电压：2V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：100pF@25V
连续漏极电流：550mA
类型：N沟道
导通电阻：2.5Ω@750mA，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：无货
